Радіаційна чутливість іонних кристалів. Одновимірна модель. Кристали з дефектами дипольного типу


  • Z. P. Chornij Національний лісотехнічний університет України, м. Львів
  • V. M. Salapak Національний лісотехнічний університет України, м. Львів
  • I. B. Pirko Національний лісотехнічний університет України, м. Львів
  • L. V. Salapak Національний лісотехнічний університет України, м. Львів
  • I. D. Kulchitskiy Українська академія друкарства, м. Львів
Ключові слова: кристали; центри забарвлення; радіація

Анотація

Виникнення радіаційного забарвлення в іонних кристалах є результатом локалізації створених радіацією вільних носіїв заряду на дорадіаційних точкових дефектах кристалічної ґратки. Із накопиченням у кристалах центрів забарвлення вступають в дію зворотні процеси. Вільні носії заряду рекомбінують на центрах забарвлення, дорадіаційні дефекти відновлюються. Завдяки довготривалого опромінення кристалів встановлюється динамічна рівновага між процесами генерації центрів забарвлення та висвітлювальною дією рентгенівських променів. Запропоновано одновимірну модель іонних кристалів, у якій було розраховано параметри радіаційної чутливості кристалів флюоритів, легованих неізовалентними домішками. Імовірність генерації центрів забарвлення при розпаді електронно-діркової пари та імовірність висвітлювальної дії знижується зі зменшенням концентрації активатора. За високих температур незалежно від концентрації активатора в кристалі імовірність утворення центрів забарвлення під час розпаду електронно-діркової пари така ж, як імовірність їх руйнування. Це пояснено тим, що в обох випадках носії заряду взаємодіють із електронейтральними дипольними центрами. Зі зменшенням концентрації активатора зростає величина енергії, що витрачається на створення однієї комплементарної пари центрів забарвлення, а відповідно радіаційна чутливість кристала знижується.

Біографії авторів

Z. P. Chornij, Національний лісотехнічний університет України, м. Львів

д-р фіз.-мат. на­ук, про­фе­сор, ка­фед­ра фі­зи­ки

V. M. Salapak, Національний лісотехнічний університет України, м. Львів

канд. фіз.-мат. на­ук, до­цент, ка­фед­ра фі­зи­ки і ма­те­ма­ти­ки

I. B. Pirko, Національний лісотехнічний університет України, м. Львів

канд. фіз.-мат. на­ук, до­цент, ка­фед­ри ін­фор­ма­ційних тех­но­ло­гій

L. V. Salapak, Національний лісотехнічний університет України, м. Львів

ст. вик­ла­дач, ка­фед­ра тех­но­ло­гії ма­те­рі­алів та ма­ши­но­бу­ду­ван­ня

I. D. Kulchitskiy, Українська академія друкарства, м. Львів

канд. фіз.-мат. на­ук, до­цент, ка­фед­ра фі­зи­ки і ма­те­ма­ти­ки

Посилання

Chornii, Z. P., Panasiuk, M. R., Krochuk, A. S., Maksimovich, Kh. K., & Shhur, G. A. (1982). Vliianie fotokhimicheskoi okraski na termostimulirovannye toki depoliarizatcii v kristallakh SrCl2-K. Ukrainskii fizicheskii zhurnal, 27(8), 1219–1223. [In Russian].
Chornii, Z. P., Pirko, I. B., Salapak, V. M., & Diachuk, M. V. (2008). Modeliuvannia radiatsiinykh vlastyvostei ionnykh krystaliv. Scientific Bulletin of UNFU, 18(1), 220–226. [In Ukrainian].
Chornij, Z. P., Salapak, V. M., Pirko, I. B., Salapak, L. V., & Kulchytskiy, A. D. (2017). Radiation sensitivity of ionic crystals. One-dimension model. I. Ionic crystals, doped with isovalent impurities. Scientific Bulletin of UNFU, 27(10), 92–95. https://doi.org/10.15421/40271017
Hayes, W., & Stoneham, A. M. (1974). Crystals with fluorite structure. W. Oxford, 448 r.
Stounkhem, A. N. (1978). Teoriia defektov v tverdykh telakh. (Vol. 2). Moscow, 357 p. [In Russian].
Опубліковано
2019-02-28
Як цитувати
Chornij, Z. P., Salapak, V. M., Pirko, I. B., Salapak, L. V., & Kulchitskiy, I. D. (2019). Радіаційна чутливість іонних кристалів. Одновимірна модель. Кристали з дефектами дипольного типу. Науковий вісник НЛТУ України, 29(1), 102-105. https://doi.org/10.15421/40290122
Розділ
Технологія та устаткування