ДОСЛІДЖЕННЯ ЕЛЕКТРИЧНИХ, МАГНІТНИХ І СТРУКТУРНИХ ВЛАСТИВОСТЕЙ ШАРУВАТИХ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ КРИСТАЛІВ ТИПУ А3В6, ІНТЕРКАЛЬОВАНИХ МЕТАЛАМИ З ОГЛЯДУ НА ЇХ ВІЙСЬКОВЕ ЗАСТОСУВАННЯ - Seredyuk, B. O.; Dveriy, O. R.; Ivashchyshyn, F. O. (Scientific Bulletin of UNFU, 2018)
Проаналізовано перспективи застосування магніторезистивних структур на основі напівпровідникових кристалів типу InSe для прецизійного вимірювання магнітного поля. Розглянуто можливість застосування сенсорів магнітного поля на основі структури InSe для виявлення важкої механізованої техніки, зокрема й військової бронетехніки. Досліджено вплив домішок металів на шарувату структуру напівпровідникового матеріалу, як на сильний ковалентний зв’язок всередині шару, так і на слабкий Ван-дер-Ваальсовий зв’язок у міжшаровому просторі. Застосовано метод імпедансної спектроскопії за частот до 106 Гц для дослідження електричних параметрів кристалів InSe. Проаналізовано діаграми Боде для бездомішкового кристалу InSe та кристалу з домішками нікелю (5 %) за різних температур – від кімнатної до температури рідкого азоту. Отримані методом атомно-силової мікроскопії топологічні знімки поверхонь бездомішкового InSe підтверджують його шарувату структуру. Магніторезистивні структури можуть не тільки забезпечувати кулонівську блокаду електричного струму, але і створювати умови для виникнення нових унікальних магнітних властивостей, які стануть основою для нових підходів у технології матеріалів – носіїв інформації. Зокрема, гігантський магніторезистивний ефект у наноструктурах з почерговими напівпровідниковими та металічними прошарками відкриває перспективу докорінної перебудови технології матеріалів – носіїв інформації і створення надвисокоефективних квантових комп’ютерів.